ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1-TR

KEY Part #: K938170

IS46R16160F-5BLA1-TR Fiyatlandırma (USD) [19375adet Stok]

  • 1 pcs$2.63707
  • 2,500 pcs$2.62395

Parça numarası:
IS46R16160F-5BLA1-TR
Üretici firma:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaylı Açıklama:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Arayüz - Sensör ve Dedektör Arayüzleri, Mantık - Parite Jeneratörleri ve Dama, PMIC - PFC (Güç Faktörü Düzeltme), PMIC - Ekran Sürücüleri, PMIC - Tam, Yarım Köprü Sürücüler, PMIC - Voltaj Regülatörleri - Doğrusal Regülatör K, Mantık - Çevirme and Veri Toplama - Analog - Dijital Çeviriciler (ADC) ...
Rekabet avantajı:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR electronic components. IS46R16160F-5BLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160F-5BLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160F-5BLA1-TR Ürün özellikleri

Parça numarası : IS46R16160F-5BLA1-TR
Üretici firma : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Açıklama : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Dizi : -
Parça Durumu : Active
Bellek türü : Volatile
Bellek formatı : DRAM
teknoloji : SDRAM - DDR
Hafıza boyutu : 256Mb (16M x 16)
Saat frekansı : 200MHz
Döngü Zamanını Yaz - Sözcük, Sayfa : 15ns
Erişim zamanı : 700ps
Bellek arayüzü : Parallel
Gerilim - Arz : 2.3V ~ 2.7V
Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 60-TFBGA
Tedarikçi Cihaz Paketi : 60-TFBGA (13x8)

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)