Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG2S0HBAI4

KEY Part #: K938186

TC58BVG2S0HBAI4 Fiyatlandırma (USD) [19471adet Stok]

  • 1 pcs$2.35334

Parça numarası:
TC58BVG2S0HBAI4
Üretici firma:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaylı Açıklama:
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Mantık - Evrensel Veriyolu İşlevleri, Saat / Zamanlama - Saat Jeneratörleri, PLL'ler, Fr, PMIC - Voltaj Regülatörleri - Doğrusal, Mantık - Sayıcılar, Bölücüler, Mantık - Özel Mantık, PMIC - Voltaj Regülatörleri - Doğrusal + Anahtarla, PMIC - Hot Swap Kontrolörleri and Arabirim - Analog Anahtarlar - Özel Amaçlı ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4 electronic components. TC58BVG2S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG2S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG2S0HBAI4 Ürün özellikleri

Parça numarası : TC58BVG2S0HBAI4
Üretici firma : Toshiba Memory America, Inc.
Açıklama : IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
Dizi : Benand™
Parça Durumu : Active
Bellek türü : Non-Volatile
Bellek formatı : FLASH
teknoloji : FLASH - NAND (SLC)
Hafıza boyutu : 4Gb (512M x 8)
Saat frekansı : -
Döngü Zamanını Yaz - Sözcük, Sayfa : 25ns
Erişim zamanı : 25ns
Bellek arayüzü : Parallel
Gerilim - Arz : 2.7V ~ 3.6V
Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 63-VFBGA
Tedarikçi Cihaz Paketi : 63-TFBGA (9x11)

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)