Parça numarası :
IXDN602SIATR
Üretici firma :
IXYS Integrated Circuits Division
Açıklama :
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Tahrik Yapılandırma :
Low-Side
Kapı tipi :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Gerilim - Arz :
4.5V ~ 35V
Mantık Gerilimi - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Güncel - Tepe Çıkışı (Kaynak, Lavabo) :
2A, 2A
Giriş tipi :
Non-Inverting
Yüksek Yan Gerilim - Max (Bootstrap) :
-
Yükseliş / Düşme Süresi (Tip) :
7.5ns, 6.5ns
Çalışma sıcaklığı :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi :
Surface Mount
Paket / Dava :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tedarikçi Cihaz Paketi :
8-SOIC