Parça numarası :
1EDN8511BXUSA1
Üretici firma :
Infineon Technologies
Tahrik Yapılandırma :
Half-Bridge, Low-Side
Kapı tipi :
N-Channel, P-Channel MOSFET
Mantık Gerilimi - VIL, VIH :
1.2V, 1.9V
Güncel - Tepe Çıkışı (Kaynak, Lavabo) :
4A, 8A
Giriş tipi :
Inverting, Non-Inverting
Yüksek Yan Gerilim - Max (Bootstrap) :
-
Yükseliş / Düşme Süresi (Tip) :
6.5ns, 4.5ns
Çalışma sıcaklığı :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi :
Surface Mount
Tedarikçi Cihaz Paketi :
PG-SOT23-6-2