Toshiba Memory America, Inc. - TC58CVG0S3HRAIG

KEY Part #: K939719

TC58CVG0S3HRAIG Fiyatlandırma (USD) [26323adet Stok]

  • 1 pcs$1.74077

Parça numarası:
TC58CVG0S3HRAIG
Üretici firma:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaylı Açıklama:
IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm Serial NAND
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Mantık - Özel Mantık, PMIC - Güç Yönetimi - Uzmanlaşmış, Mantık - Sürgüler, PMIC - Voltaj Regülatörleri - Özel Amaç, Arabirim - UART (Evrensel Asenkron Alıcı Vericisi), Saat / Zamanlama - Uygulamaya Özel, Gömülü - DSP (Dijital Sinyal İşlemciler) and Gömülü - Sistem On Chip (SoC) ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG0S3HRAIG electronic components. TC58CVG0S3HRAIG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58CVG0S3HRAIG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58CVG0S3HRAIG Ürün özellikleri

Parça numarası : TC58CVG0S3HRAIG
Üretici firma : Toshiba Memory America, Inc.
Açıklama : IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
Dizi : -
Parça Durumu : Active
Bellek türü : Non-Volatile
Bellek formatı : FLASH
teknoloji : FLASH - NAND (SLC)
Hafıza boyutu : 1Gb (128M x 8)
Saat frekansı : 104MHz
Döngü Zamanını Yaz - Sözcük, Sayfa : -
Erişim zamanı : 155µs
Bellek arayüzü : SPI - Quad I/O
Gerilim - Arz : 2.7V ~ 3.6V
Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 8-WDFN Exposed Pad
Tedarikçi Cihaz Paketi : 8-WSON (6x8)

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM