Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG1S3HBAI6

KEY Part #: K939718

TC58NYG1S3HBAI6 Fiyatlandırma (USD) [26323adet Stok]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850
  • 250 pcs$0.91770

Parça numarası:
TC58NYG1S3HBAI6
Üretici firma:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaylı Açıklama:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: PMIC - Voltaj Regülatörleri - Doğrusal, PMIC - Güç Dağıtım Anahtarları, Yük Sürücüleri, Mantık - Çevirme, Arayüz - Sensör, Kapasitif Dokunmatik, PMIC - Batarya Yönetimi, Gömülü - Mikrodenetleyiciler, Mantık - Sinyal Anahtarları, Çoklayıcı, Kod Çözücü and Doğrusal - Amplifikatörler - Video Amper ve Modüll ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG1S3HBAI6 electronic components. TC58NYG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG1S3HBAI6 Ürün özellikleri

Parça numarası : TC58NYG1S3HBAI6
Üretici firma : Toshiba Memory America, Inc.
Açıklama : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Dizi : -
Parça Durumu : Active
Bellek türü : Non-Volatile
Bellek formatı : FLASH
teknoloji : FLASH - NAND (SLC)
Hafıza boyutu : 2Gb (256M x 8)
Saat frekansı : -
Döngü Zamanını Yaz - Sözcük, Sayfa : 25ns
Erişim zamanı : 25ns
Bellek arayüzü : Parallel
Gerilim - Arz : 1.7V ~ 1.95V
Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 67-VFBGA
Tedarikçi Cihaz Paketi : 67-VFBGA (6.5x8)

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM