Essentra Components - MDLSP1-05M-01

KEY Part #: K7359530

MDLSP1-05M-01 Fiyatlandırma (USD) [176454adet Stok]

  • 1 pcs$0.19379
  • 10 pcs$0.18035
  • 25 pcs$0.16658
  • 100 pcs$0.13886
  • 500 pcs$0.11107
  • 1,000 pcs$0.09997
  • 5,000 pcs$0.08053
  • 10,000 pcs$0.06942
  • 25,000 pcs$0.05554

Parça numarası:
MDLSP1-05M-01
Üretici firma:
Essentra Components
Detaylı Açıklama:
BRD SPT SNAP LOCK NYLON 5MM.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Fındık, Vidalar, Cıvatalar, Montaj dirsekleri, Vidalı Grommetler, topuzlar, Aksesuarlar, Tamponlar, Ayaklar, Pedler, Saplar and Yıkayıcılar - Burç, Omuz ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Essentra Components MDLSP1-05M-01 electronic components. MDLSP1-05M-01 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MDLSP1-05M-01, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MDLSP1-05M-01 Ürün özellikleri

Parça numarası : MDLSP1-05M-01
Üretici firma : Essentra Components
Açıklama : BRD SPT SNAP LOCK NYLON 5MM
Dizi : MDLSP1
Parça Durumu : Active
Tutma Tipi : Snap Lock
Montaj tipi : Snap Lock
Yönetim Kurulu Yüksekliği Arasında : 0.197" (5.00mm)
Tüm uzunluk : 0.484" (12.30mm)
Destek Delik Çapı : 0.098" (2.50mm)
Destek Paneli Kalınlığı : 0.065" (1.65mm)
Montaj deliği çapı : 0.098" (2.50mm)
Montaj paneli kalınlığı : 0.065" (1.65mm)
Özellikler : -
Malzeme : Nylon
Ayrıca ilginizi çekebilir
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.