Infineon Technologies - BSZ019N03LSATMA1

KEY Part #: K6419887

BSZ019N03LSATMA1 Fiyatlandırma (USD) [142053adet Stok]

  • 1 pcs$0.26038

Parça numarası:
BSZ019N03LSATMA1
Üretici firma:
Infineon Technologies
Detaylı Açıklama:
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Tristörler - SCR'ler, Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - RF, Transistörler - IGBT'ler - Diziler, Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekli, Transistörler - Programlanabilir Birleşim, Diyot - Doğrultucular - Tek, Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tek and Diyotlar - RF ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Infineon Technologies BSZ019N03LSATMA1 electronic components. BSZ019N03LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ019N03LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ019N03LSATMA1 Ürün özellikleri

Parça numarası : BSZ019N03LSATMA1
Üretici firma : Infineon Technologies
Açıklama : MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
Dizi : OptiMOS™
Parça Durumu : Active
FET Tipi : N-Channel
teknoloji : MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vds) : 30V
Güncel - Sürekli Boşaltma (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta). 40A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık) : 4.5V, 10V
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (En Çok) @ Id : 2V @ 250µA
Kapı Ücreti (Qg) (Maks) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 15V
FET Özelliği : -
Güç Tüketimi (Max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Çalışma sıcaklığı : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi : Surface Mount
Tedarikçi Cihaz Paketi : PG-TSDSON-8-FL
Paket / Dava : 8-PowerTDFN

Ayrıca ilginizi çekebilir