Infineon Technologies - FS50R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6532688

[1083adet Stok]


    Parça numarası:
    FS50R07N2E4B11BOSA1
    Üretici firma:
    Infineon Technologies
    Detaylı Açıklama:
    MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
    Üreticinin standart teslim süresi:
    Stokta var
    Raf ömrü:
    Bir yıl
    Gönderen Çip:
    Hong Kong
    RoHS:
    Ödeme şekli:
    Sevkiyat yolu:
    Aile Kategorileri:
    KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Transistörler - JFET'ler, Diyot - Köprü Doğrultucular, Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tek, Diyotlar - Zener - Diziler, Güç Sürücü Modülleri, Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Diyot - Değişken Kapasitans (Varicaps, Varactors) and Tristörler - TRIAC ...
    Rekabet avantajı:
    We specialize in Infineon Technologies FS50R07N2E4B11BOSA1 electronic components. FS50R07N2E4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS50R07N2E4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS50R07N2E4B11BOSA1 Ürün özellikleri

    Parça numarası : FS50R07N2E4B11BOSA1
    Üretici firma : Infineon Technologies
    Açıklama : MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
    Dizi : EconoPACK™ 2
    Parça Durumu : Obsolete
    IGBT Türü : Trench Field Stop
    Yapılandırma : Three Phase Inverter
    Gerilim - Kollektör Verici Dağılımı (Maks) : 650V
    Güncel - Toplayıcı (Ic) (Maks) : 70A
    Maksimum güç : 190W
    Vce (on) (Maks) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 50A
    Güncel - Kollektör Kesim (Maks) : 1mA
    Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce : 3.1nF @ 25V
    Giriş : Standard
    NTC Termistörü : Yes
    Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 150°C
    Montaj tipi : Chassis Mount
    Paket / Dava : Module
    Tedarikçi Cihaz Paketi : Module

    Ayrıca ilginizi çekebilir
    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

    • A2C35S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.