Bulunduğunuz yer listede yoksa, lütfen aşağıdakilerden birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Bulunduğunuz yer listede yoksa, lütfen aşağıdakilerden birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Ürünler
  3. Entegre Devreler (IC'ler)
  4. Bellek
  5. TH58BYG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI6

KEY Part #: K937444

TH58BYG2S3HBAI6 Fiyatlandırma (USD) [16879adet Stok]

  • 1 pcs$2.25638
  • 10 pcs$2.04661
  • 25 pcs$2.00236
  • 50 pcs$1.99126
Parça numarası:
TH58BYG2S3HBAI6
Üretici firma:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaylı Açıklama:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: PMIC - Gerilim Referansı, Arabirim - Sinyal Sonlandırıcılar, Saat / Zamanlama - Gerçek Zamanlı Saatler, PMIC - Ethernet Üzerinden Güç (PoE) Kontrolörleri, Gömülü - Sistem On Chip (SoC), İhtisas IC, Doğrusal - Karşılaştırıcılar and Doğrusal - Video İşleme ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 electronic components. TH58BYG2S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BYG2S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI6 Ürün özellikleri

Parça numarası : TH58BYG2S3HBAI6
Üretici firma : Toshiba Memory America, Inc.
Açıklama : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Dizi : Benand™
Parça Durumu : Active
Bellek türü : Non-Volatile
Bellek formatı : FLASH
teknoloji : FLASH - NAND (SLC)
Hafıza boyutu : 4Gb (512M x 8)
Saat frekansı : -
Döngü Zamanını Yaz - Sözcük, Sayfa : 25ns
Erişim zamanı : 25ns
Bellek arayüzü : Parallel
Gerilim - Arz : 1.7V ~ 1.95V
Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 67-VFBGA
Tedarikçi Cihaz Paketi : 67-VFBGA (6.5x8)

Son Haberler

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Ayrıca ilginizi çekebilir
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • 71321SA55JG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

Sıcak parçalar