Infineon Technologies - 2PS18012E44G40113NOSA1

KEY Part #: K6532565

2PS18012E44G40113NOSA1 Fiyatlandırma (USD) [15adet Stok]

  • 1 pcs$2144.06652

Parça numarası:
2PS18012E44G40113NOSA1
Üretici firma:
Infineon Technologies
Detaylı Açıklama:
MODULE IGBT STACK A-PS4-1.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekli, Transistörler - IGBT'ler - Tekli, Transistörler - Özel Amaç, Güç Sürücü Modülleri, Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Tristörler - TRIAC, Transistörler - Bipolar (BJT) - Tek, Önyargılı and Diyot - Köprü Doğrultucular ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Infineon Technologies 2PS18012E44G40113NOSA1 electronic components. 2PS18012E44G40113NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2PS18012E44G40113NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2PS18012E44G40113NOSA1 Ürün özellikleri

Parça numarası : 2PS18012E44G40113NOSA1
Üretici firma : Infineon Technologies
Açıklama : MODULE IGBT STACK A-PS4-1
Dizi : PrimeSTACK™
Parça Durumu : Active
IGBT Türü : -
Yapılandırma : Three Phase Inverter
Gerilim - Kollektör Verici Dağılımı (Maks) : 1200V
Güncel - Toplayıcı (Ic) (Maks) : 2560A
Maksimum güç : 5600W
Vce (on) (Maks) @ Vge, Ic : -
Güncel - Kollektör Kesim (Maks) : -
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce : -
Giriş : Standard
NTC Termistörü : Yes
Çalışma sıcaklığı : -25°C ~ 60°C
Montaj tipi : Chassis Mount
Paket / Dava : Module
Tedarikçi Cihaz Paketi : Module

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.