Vishay Siliconix - SI7998DP-T1-GE3

KEY Part #: K6523269

SI7998DP-T1-GE3 Fiyatlandırma (USD) [123967adet Stok]

  • 1 pcs$0.29837
  • 3,000 pcs$0.28017

Parça numarası:
SI7998DP-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay Siliconix
Detaylı Açıklama:
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Tristörler - SCR'ler - Modüller, Tristörler - TRIAC, Transistörler - Bipolar (BJT) - RF, Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Önyargılı, Güç Sürücü Modülleri, Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Diyotlar - Zener - Diziler and Transistörler - Programlanabilir Birleşim ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 electronic components. SI7998DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7998DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7998DP-T1-GE3 Ürün özellikleri

Parça numarası : SI7998DP-T1-GE3
Üretici firma : Vishay Siliconix
Açıklama : MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Dizi : TrenchFET®
Parça Durumu : Active
FET Tipi : 2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği : Logic Level Gate
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vds) : 30V
Güncel - Sürekli Boşaltma (Id) @ 25 ° C : 25A, 30A
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (En Çok) @ Id : 2.5V @ 250µA
Kapı Ücreti (Qg) (Maks) @ Vgs : 26nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
Maksimum güç : 22W, 40W
Çalışma sıcaklığı : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : PowerPAK® SO-8 Dual
Tedarikçi Cihaz Paketi : PowerPAK® SO-8 Dual