ITT Cannon, LLC - 120220-0202

KEY Part #: K7359492

120220-0202 Fiyatlandırma (USD) [779344adet Stok]

  • 1 pcs$0.04770
  • 6,800 pcs$0.04746
  • 13,600 pcs$0.04271
  • 34,000 pcs$0.04208
  • 68,000 pcs$0.04113

Parça numarası:
120220-0202
Üretici firma:
ITT Cannon, LLC
Detaylı Açıklama:
UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD. Battery Contacts
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: RF Değerlendirme ve Geliştirme Kitleri, Kurullar, RF Güç Kontrol Cihazı IC'leri, RF Güç Bölücüler / Bölücüler, RF Kalkanları, RF Vericileri, RF Yönlü Bağlaştırıcı, RFID Okuyucu Modülleri and RF Çeşitli IC'ler ve Modüller ...
Rekabet avantajı:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0202 electronic components. 120220-0202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0202 Ürün özellikleri

Parça numarası : 120220-0202
Üretici firma : ITT Cannon, LLC
Açıklama : UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD
Dizi : -
Parça Durumu : Active
tip : Shield Finger, Pre-Loaded
şekil : -
Genişlik : 0.035" (0.90mm)
uzunluk : 0.132" (3.35mm)
Yükseklik : 0.071" (1.80mm)
Malzeme : Beryllium Copper
Kaplama : Nickel
Kaplama kalınlığı : 118.11µin (3.00µm)
Eklenti Yöntemi : Solder
Çalışma sıcaklığı : -

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.