Parça numarası :
SI4511DY-T1-GE3
Üretici firma :
Vishay Siliconix
Açıklama :
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
FET Tipi :
N and P-Channel
FET Özelliği :
Logic Level Gate
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vds) :
20V
Güncel - Sürekli Boşaltma (Id) @ 25 ° C :
7.2A, 4.6A
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (En Çok) @ Id :
1.8V @ 250µA
Kapı Ücreti (Qg) (Maks) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Çalışma sıcaklığı :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi :
Surface Mount
Paket / Dava :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tedarikçi Cihaz Paketi :
8-SO