Infineon Technologies - 6MS24017E33W32860NOSA1

KEY Part #: K6532484

6MS24017E33W32860NOSA1 Fiyatlandırma (USD) [2adet Stok]

  • 1 pcs$8449.92191

Parça numarası:
6MS24017E33W32860NOSA1
Üretici firma:
Infineon Technologies
Detaylı Açıklama:
MODULE IGBT STACK A-MS3-1.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - RF, Diyot - Köprü Doğrultucular, Transistörler - Özel Amaç, Tristörler - DIAC'ler, SIDAC'ler, Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekli, Tristörler - SCR'ler - Modüller, Transistörler - IGBT'ler - Modüller and Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Önyargılı ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Infineon Technologies 6MS24017E33W32860NOSA1 electronic components. 6MS24017E33W32860NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6MS24017E33W32860NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS24017E33W32860NOSA1 Ürün özellikleri

Parça numarası : 6MS24017E33W32860NOSA1
Üretici firma : Infineon Technologies
Açıklama : MODULE IGBT STACK A-MS3-1
Dizi : ModSTACK™ 3
Parça Durumu : Active
IGBT Türü : -
Yapılandırma : Three Phase Inverter
Gerilim - Kollektör Verici Dağılımı (Maks) : -
Güncel - Toplayıcı (Ic) (Maks) : -
Maksimum güç : -
Vce (on) (Maks) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 1200A
Güncel - Kollektör Kesim (Maks) : -
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce : -
Giriş : Standard
NTC Termistörü : No
Çalışma sıcaklığı : -25°C ~ 55°C
Montaj tipi : Chassis Mount
Paket / Dava : Module
Tedarikçi Cihaz Paketi : Module

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.