Murata Electronics North America - NFM18PS105R0J3D

KEY Part #: K7359537

NFM18PS105R0J3D Fiyatlandırma (USD) [1294413adet Stok]

  • 1 pcs$0.02872
  • 4,000 pcs$0.02857
  • 8,000 pcs$0.02689
  • 12,000 pcs$0.02521
  • 28,000 pcs$0.02353

Parça numarası:
NFM18PS105R0J3D
Üretici firma:
Murata Electronics North America
Detaylı Açıklama:
CAP FEEDTHRU 1UF 20 6.3V 0603. Feed Through Capacitors 0603 1.0uF
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Güç Hattı Filtre Modülleri, Ferrit Diskler ve Tabaklar, EMI / RFI Filtreleri (LC, RC Ağları), Ortak mod boğulmaları, Monolitik Kristaller, RF Filtreleri, DSL Filtreleri and Ferrit Çekirdek - Kablolar ve Kablolama ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Murata Electronics North America NFM18PS105R0J3D electronic components. NFM18PS105R0J3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM18PS105R0J3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM18PS105R0J3D Ürün özellikleri

Parça numarası : NFM18PS105R0J3D
Üretici firma : Murata Electronics North America
Açıklama : CAP FEEDTHRU 1UF 20 6.3V 0603
Dizi : EMIFIL®, NFM18
Parça Durumu : Active
kapasitans : 1µF
Hoşgörü : ±20%
Gerilim - Anma : 6.3V
şimdiki : 2A
DC Direnci (DCR) (Maks) : 30 mOhm
Çalışma sıcaklığı : -55°C ~ 105°C
Ekleme Kaybı : -
Sıcaklık katsayısı : -
Puanlar : -
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 0603 (1608 Metric), 3 PC Pad
Boyut / Boyut : 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm)
Yükseklik (Max) : 0.028" (0.70mm)
İplik boyutu : -

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.