Vishay Semiconductor Diodes Division - UB8DT-E3/4W

KEY Part #: K6445620

UB8DT-E3/4W Fiyatlandırma (USD) [2046adet Stok]

  • 2,000 pcs$0.15192

Parça numarası:
UB8DT-E3/4W
Üretici firma:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaylı Açıklama:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Diyot - Köprü Doğrultucular, Güç Sürücü Modülleri, Diyotlar - Zener - Diziler, Diyot - Doğrultucular - Diziler, Transistörler - Programlanabilir Birleşim, Transistörler - IGBT'ler - Tekli, Diyotlar - RF and Diyot - Doğrultucular - Tek ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UB8DT-E3/4W electronic components. UB8DT-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UB8DT-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UB8DT-E3/4W Ürün özellikleri

Parça numarası : UB8DT-E3/4W
Üretici firma : Vishay Semiconductor Diodes Division
Açıklama : DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Dizi : -
Parça Durumu : Obsolete
Diyot türü : Standard
Gerilim - DC Ters (Vr) (Maks) : 200V
Güncel - Ortalama Rektifiye (Io) : 8A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ Eğer : 1.02V @ 8A
hız : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri kurtarma süresi (trr) : 20ns
Güncel - Ters Kaçak @ Vr : 10µA @ 200V
Kapasite @ Vr, F : -
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tedarikçi Cihaz Paketi : TO-263AB
Çalışma Sıcaklığı - Kavşak : -55°C ~ 150°C

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

  • SBL1030HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.