Vishay Siliconix - SI4778DY-T1-E3

KEY Part #: K6405893

SI4778DY-T1-E3 Fiyatlandırma (USD) [1508adet Stok]

  • 2,500 pcs$0.11986

Parça numarası:
SI4778DY-T1-E3
Üretici firma:
Vishay Siliconix
Detaylı Açıklama:
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Diyot - Zener - Tekli, Diyot - Doğrultucular - Tek, Diyot - Doğrultucular - Diziler, Tristörler - DIAC'ler, SIDAC'ler, Tristörler - SCR'ler, Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekli, Transistörler - Bipolar (BJT) - Tek, Önyargılı and Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Önyargılı ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Vishay Siliconix SI4778DY-T1-E3 electronic components. SI4778DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4778DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4778DY-T1-E3 Ürün özellikleri

Parça numarası : SI4778DY-T1-E3
Üretici firma : Vishay Siliconix
Açıklama : MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Dizi : TrenchFET®
Parça Durumu : Obsolete
FET Tipi : N-Channel
teknoloji : MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vds) : 25V
Güncel - Sürekli Boşaltma (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık) : 4.5V, 10V
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (En Çok) @ Id : 2.2V @ 250µA
Kapı Ücreti (Qg) (Maks) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 13V
FET Özelliği : -
Güç Tüketimi (Max) : 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Çalışma sıcaklığı : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi : Surface Mount
Tedarikçi Cihaz Paketi : 8-SO
Paket / Dava : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)