GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

Detaylı Açıklama:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

Aile Kategorileri:: KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekli, Güç Sürücü Modülleri, Tristörler - SCR'ler, Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler, Diyotlar - Zener - Diziler, Diyot - Doğrultucular - Tek, Diyot - Doğrultucular - Diziler and Transistörler - JFET'ler ...

Rekabet avantajı:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Parça numarası : MBR600200CT

Üretici firma : GeneSiC Semiconductor

Açıklama : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Dizi : -

Parça Durumu : Active

Diyot yapılandırma : 1 Pair Common Cathode

Diyot türü : Schottky

Gerilim - DC Ters (Vr) (Maks) : 200V

Güncel - Ortalama Rektifiye (Io) (Diyot başına) : 300A

Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ Eğer : 920mV @ 300A

hız : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Geri kurtarma süresi (trr) : -

Güncel - Ters Kaçak @ Vr : 3mA @ 200V

Çalışma Sıcaklığı - Kavşak : -55°C ~ 150°C

Montaj tipi : Chassis Mount

Paket / Dava : Twin Tower

Tedarikçi Cihaz Paketi : Twin Tower

Ayrıca ilginizi çekebilir

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Sıcak parçalar