Micron Technology Inc. - MT47H64M8SH-25E AIT:H

KEY Part #: K938190

MT47H64M8SH-25E AIT:H Fiyatlandırma (USD) [19486adet Stok]

  • 1 pcs$2.36328
  • 1,518 pcs$2.35152

Parça numarası:
MT47H64M8SH-25E AIT:H
Üretici firma:
Micron Technology Inc.
Detaylı Açıklama:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: PMIC - DC Dönüştürücülere RMS, PMIC - Voltaj Regülatörleri - DC DC Anahtarlama Ko, Saat / Zamanlama - Gerçek Zamanlı Saatler, PMIC - Ekran Sürücüleri, Gömülü - Mikrodenetleyiciler - Uygulamaya Özel, PMIC - Voltaj Regülatörleri - Özel Amaç, Mantık - Parite Jeneratörleri ve Dama and PMIC - Hot Swap Kontrolörleri ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT:H electronic components. MT47H64M8SH-25E AIT:H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H64M8SH-25E AIT:H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H64M8SH-25E AIT:H Ürün özellikleri

Parça numarası : MT47H64M8SH-25E AIT:H
Üretici firma : Micron Technology Inc.
Açıklama : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Dizi : -
Parça Durumu : Last Time Buy
Bellek türü : Volatile
Bellek formatı : DRAM
teknoloji : SDRAM - DDR2
Hafıza boyutu : 512Mb (64M x 8)
Saat frekansı : 400MHz
Döngü Zamanını Yaz - Sözcük, Sayfa : 15ns
Erişim zamanı : 400ps
Bellek arayüzü : Parallel
Gerilim - Arz : 1.7V ~ 1.9V
Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 95°C (TC)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 60-TFBGA
Tedarikçi Cihaz Paketi : 60-FBGA (10x18)

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)