Toshiba Semiconductor and Storage - BAS516,L3F

KEY Part #: K6458642

BAS516,L3F Fiyatlandırma (USD) [3388457adet Stok]

  • 1 pcs$0.01092

Parça numarası:
BAS516,L3F
Üretici firma:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaylı Açıklama:
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler, Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Önyargılı, Diyotlar - Zener - Diziler, Tristörler - SCR'ler - Modüller, Güç Sürücü Modülleri, Diyot - Köprü Doğrultucular, Tristörler - SCR'ler and Transistörler - Bipolar (BJT) - RF ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,L3F electronic components. BAS516,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS516,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS516,L3F Ürün özellikleri

Parça numarası : BAS516,L3F
Üretici firma : Toshiba Semiconductor and Storage
Açıklama : DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Dizi : -
Parça Durumu : Active
Diyot türü : Standard
Gerilim - DC Ters (Vr) (Maks) : 100V
Güncel - Ortalama Rektifiye (Io) : 250mA
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ Eğer : 1.25V @ 150mA
hız : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri kurtarma süresi (trr) : 3ns
Güncel - Ters Kaçak @ Vr : 200nA @ 80V
Kapasite @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : SC-79, SOD-523
Tedarikçi Cihaz Paketi : ESC
Çalışma Sıcaklığı - Kavşak : 150°C (Max)

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode