Bulunduğunuz yer listede yoksa, lütfen aşağıdakilerden birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Bulunduğunuz yer listede yoksa, lütfen aşağıdakilerden birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Ürünler
  3. Entegre Devreler (IC'ler)
  4. Bellek
  5. TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938377

TC58BYG2S0HBAI6 Fiyatlandırma (USD) [20269adet Stok]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
  • 25 pcs$1.66867
  • 50 pcs$1.65941
  • 100 pcs$1.48816
Parça numarası:
TC58BYG2S0HBAI6
Üretici firma:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaylı Açıklama:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Mantık - Kapılar ve İnvertörler, PMIC - Mevcut Düzenleme / Yönetim, PMIC - Güç Kaynağı Kontrol Cihazları, Monitörler, Bellek - Piller, Mantık - Tamponlar, Sürücüler, Alıcılar, Alıcı-Ver, IC Çipleri, Bellek - Kontrolörler and Mantık - Özel Mantık ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6 electronic components. TC58BYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG2S0HBAI6 Ürün özellikleri

Parça numarası : TC58BYG2S0HBAI6
Üretici firma : Toshiba Memory America, Inc.
Açıklama : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Dizi : Benand™
Parça Durumu : Active
Bellek türü : Non-Volatile
Bellek formatı : FLASH
teknoloji : FLASH - NAND (SLC)
Hafıza boyutu : 4Gb (512M x 8)
Saat frekansı : -
Döngü Zamanını Yaz - Sözcük, Sayfa : 25ns
Erişim zamanı : 25ns
Bellek arayüzü : Parallel
Gerilim - Arz : 1.7V ~ 1.95V
Çalışma sıcaklığı : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : 67-VFBGA
Tedarikçi Cihaz Paketi : 67-VFBGA (6.5x8)

Son Haberler

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Ayrıca ilginizi çekebilir
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

Sıcak parçalar