Parça numarası :
NHPD660T4G
Üretici firma :
ON Semiconductor
Açıklama :
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Gerilim - DC Ters (Vr) (Maks) :
600V
Güncel - Ortalama Rektifiye (Io) :
6A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ Eğer :
3V @ 6A
hız :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri kurtarma süresi (trr) :
30ns
Güncel - Ters Kaçak @ Vr :
30µA @ 600V
Montaj tipi :
Surface Mount
Paket / Dava :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tedarikçi Cihaz Paketi :
DPAK
Çalışma Sıcaklığı - Kavşak :
-65°C ~ 175°C