Parça numarası :
SIHB33N60EF-GE3
Üretici firma :
Vishay Siliconix
Açıklama :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
teknoloji :
MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vds) :
600V
Güncel - Sürekli Boşaltma (Id) @ 25 ° C :
33A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık) :
10V
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (En Çok) @ Id :
4V @ 250µA
Kapı Ücreti (Qg) (Maks) @ Vgs :
155nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds :
3454pF @ 100V
Güç Tüketimi (Max) :
278W (Tc)
Çalışma sıcaklığı :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi :
Surface Mount
Tedarikçi Cihaz Paketi :
D²PAK (TO-263)
Paket / Dava :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB