Vishay Siliconix - SI7252DP-T1-GE3

KEY Part #: K6525136

SI7252DP-T1-GE3 Fiyatlandırma (USD) [84291adet Stok]

  • 1 pcs$0.46388
  • 3,000 pcs$0.43461

Parça numarası:
SI7252DP-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay Siliconix
Detaylı Açıklama:
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO.
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: Diyot - Doğrultucular - Diziler, Diyot - Doğrultucular - Tek, Diyotlar - RF, Tristörler - DIAC'ler, SIDAC'ler, Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tek, Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler, Transistörler - Bipolar (BJT) - RF and Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler ...
Rekabet avantajı:
We specialize in Vishay Siliconix SI7252DP-T1-GE3 electronic components. SI7252DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7252DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7252DP-T1-GE3 Ürün özellikleri

Parça numarası : SI7252DP-T1-GE3
Üretici firma : Vishay Siliconix
Açıklama : MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Dizi : TrenchFET®
Parça Durumu : Active
FET Tipi : 2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği : Logic Level Gate
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vds) : 100V
Güncel - Sürekli Boşaltma (Id) @ 25 ° C : 36.7A
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (En Çok) @ Id : 3.5V @ 250µA
Kapı Ücreti (Qg) (Maks) @ Vgs : 27nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds : 1170pF @ 50V
Maksimum güç : 46W
Çalışma sıcaklığı : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi : Surface Mount
Paket / Dava : PowerPAK® SO-8 Dual
Tedarikçi Cihaz Paketi : PowerPAK® SO-8 Dual