Parça numarası :
SIHP6N80E-GE3
Üretici firma :
Vishay Siliconix
Açıklama :
MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB
teknoloji :
MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vds) :
800V
Güncel - Sürekli Boşaltma (Id) @ 25 ° C :
5.4A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık) :
10V
Rds Açık (Maks) @ Id, Vgs :
940 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (En Çok) @ Id :
4V @ 250µA
Kapı Ücreti (Qg) (Maks) @ Vgs :
44nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds :
827pF @ 100V
Güç Tüketimi (Max) :
78W (Tc)
Çalışma sıcaklığı :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi :
Through Hole
Tedarikçi Cihaz Paketi :
TO-220AB