ITT Cannon, LLC - 120220-0312

KEY Part #: K7359503

120220-0312 Fiyatlandırma (USD) [845047adet Stok]

  • 1 pcs$0.05366
  • 5,600 pcs$0.05339
  • 11,200 pcs$0.04983
  • 16,800 pcs$0.04805
  • 28,000 pcs$0.04734
  • 56,000 pcs$0.04627

Parça numarası:
120220-0312
Üretici firma:
ITT Cannon, LLC
Detaylı Açıklama:
MICRO UNIVERSAL CONTACT Z 2.5MM. Battery Contacts
Üreticinin standart teslim süresi:
Stokta var
Raf ömrü:
Bir yıl
Gönderen Çip:
Hong Kong
RoHS:
Ödeme şekli:
Sevkiyat yolu:
Aile Kategorileri:
KEY Components Co, LTD dahil olmak üzere ürün kategorileri sunan bir Elektronik Bileşenler Dağıtıcısı: RF Anahtarları, RFID Transponderleri, Etiketler, RF Yükselteçleri, RFI ve EMI - Kontaklar, Parmak Uçları ve Contalar, Balun, RF Ön Uç (LNA + PA), RFID Okuyucu Modülleri and RF Dipleksleyiciler ...
Rekabet avantajı:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0312 electronic components. 120220-0312 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0312, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0312 Ürün özellikleri

Parça numarası : 120220-0312
Üretici firma : ITT Cannon, LLC
Açıklama : MICRO UNIVERSAL CONTACT Z 2.5MM
Dizi : -
Parça Durumu : Active
tip : Shield Finger, Pre-Loaded
şekil : -
Genişlik : 0.038" (0.96mm)
uzunluk : 0.144" (3.66mm)
Yükseklik : 0.098" (2.50mm)
Malzeme : Titanium Copper
Kaplama : Nickel
Kaplama kalınlığı : 118.11µin (3.00µm)
Eklenti Yöntemi : Solder
Çalışma sıcaklığı : -

Ayrıca ilginizi çekebilir
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.